氮化鎵
」 環球晶 半導體 徐秀蘭 SiC 晶圓代工
搶攻電子零組件商機 國巨斥逾53億認購力智20.23%私募股
被動元件大廠國巨（2327）宣布參與電源IC廠力智（6719）私募普通股認購，將斥資53.13億元，以每股253元全數認購普通股2.1萬張。待私募普通股程序完成後，國巨將持有力智新發行普通股後的20.23%股權，成為力智最大單一持股的策略股東，進一步擴大雙方在未來電子零組件高成長市場的市占。力智是少數可同時提供電源管理晶片（PMIC）與半導體功率元件（Power Discrete）產品服務的電源晶片設計領導廠商。主要產品包含電源管理晶片、單晶片電源轉換器（Converter）、電池保護晶片、分離式功率元件與氮化鎵（GaN）電源解決方案等。相關產品並已跨足運算、網通、電池保護管理、工業與消費等五大平台，深耕於高密度電源解決方案及高效能功率元件技術的設計與開發。國巨指出，力智在許多重要的半導體產品中擁有強大的設計能力，期盼此次對力智的策略投資，彼此能共同開發及全球銷售通路的整合，進一步擴大雙方在未來電子零組件高成長市場的份額。創辦人暨董事長陳泰銘表示，經此策略合作，除強化集團半導體產業布局、提供如功率模組等差異化產品外，也可藉由強化與全球領導性晶片設計公司的合作關係。相信特別是在其多相位核心電源控制器與高整合功率級產品，與國巨現有產品擁有最佳互補性。力智董事長許先越表示，力智將積極擴大業務及營運範圍，致力成為功率元件產業中的領導廠商，提供更多高附加價值的產品與解決方案。並指出，這次私募引進國巨成為策略夥伴，將結合國巨在元件品牌及全球銷售通路的優勢，加速擴展過往需要長時間經營的高效能運算、汽車、工業與醫療應用市場，以及北美、歐洲及日韓等高階市場，未來與國巨並肩成為合作夥伴，雙方合作將共同創造更多商機。
鴻海聯手英國半導體業者Porotech 加速商用Micro LED微顯示器AR應用
鴻海（2317）上周五（15日）宣佈，與以技術為基礎的英國半導體企業Poro Technologies（Porotech）合作，加速商用Micro LED（微發光二極體）微顯示器AR（擴增實境）應用。Porotech是MicroLED和氮化鎵GaN（氮化鎵）材料技術開拓公司，專注於顯示技術的開拓性進展。鴻海表示，此次合作將整合該公司在半導體晶片製造、封裝、IC驅動器、CMOS背板、模組組裝、系統組裝等方面的專有技術，加上Porotech專有的GaN技術應用，如uLEDoS（矽基Micro LED）、DPT（動態畫素調整）與矽基氮化鎵平台等，最終產品將鎖定於滿足擴增實境應用、智慧穿戴裝置所需，超高密度和能源效率MicroLED微顯示器。鴻海半導體事業群總經理陳偉銘說，集團與Porotech的策略聯盟將加速 MicroLED微顯示器的開發工作。鴻海也觀察到，過去尚無企業能執行整合包括半導體晶片製造、混合鍵合、IC設計、光電子學、量子物理學與光學等的技術組合。未來將透過合作，加速MicroLED技術的研究與產品化。Porotech設於台灣新竹、總部位於英國劍橋，是英國劍橋大學衍生Micro LED企業研發中心，銷售辦事處位於美國亞利桑那州的錢德勒。該公司創辦人兼執行長朱彤彤指出表示，矽基氮化鎵技術將在uLEDoS技術發展中扮演關鍵角色，看好與鴻海合作有助於成功攜手客戶取得成功。
半導體新戰場1／打破地緣政治僵局 60家台日化合物半導體廠10月大陣仗合體找解方
美中爭霸從貿易戰打到科技戰，美國去年9月禁止高階晶片出口中國，日本今年5月跟進，公布半導體設備出口限制，使得中國8月出手反制，限制鎵、鍺出口，一舉將戰線從技術設備人才，拉到「化合物半導體」，同時加速台日半導體產業抱團。CTWANT記者調查，10月26日登場的台北國際光電週，以化合物半導體為重頭戲，參展規模150家創新高、6個國家地區，光是台日兩國就有超過70家科技廠大陣仗參與。在半導體產業發展初期，日本一度超越美國，使得美國1986年祭出「美日半導體協議」，加上台灣及南韓半導體產業崛起後，使得日廠全球市佔率節節敗退，近年疫情引爆晶片荒及美中科技爭霸，全球供應鏈在地緣政治危機下重組，給了日本趁勢重返半導體大國的機會，不但去年8月由八家大廠組建國家晶片隊「Rapidus」，今年6月也重修「晶片戰略」，訂下2030年產值達3.3兆元的目標。日本的半導體產業以設備及關鍵原料為主，掌握半導體產業鏈中的最上游，握有全球半導體關鍵生產原料主導權，而這次日本加入美國陣營，禁止半導體設備出口中國，反遭中國限制鎵鍺出口，這對日本「化合物半導體」影響，引來業內高度關注。工研院產業科技國際策略發展所研究總監楊瑞臨指出，「現在用於電腦、手機運算的是矽半導體、屬於第一類半導體；化合物半導體是第二、三類半導體，用於加速傳導，應用有所差異」。化合物半導體中的砷化鎵（GaAS）為第二類，用於手機、基地台功率放大器，碳化矽（ SiC）、氮化鎵（GaN）等為第三類，碳化矽多用在電動車、工控的動力系統，氮化鎵則用在功率大、電壓高的潔淨能源電源供應器。台北國際光電週展覽繞著化合物半導體製程而設「化合物半導體」專區，日商Disco將演示以雷射切割晶圓技術。（圖／翻攝Disco官網）日本第一大碳化矽（SiC）功率半導體製造商三菱電機，日前宣布加大兩座SiC晶圓廠投資，其位於熊本縣合志市的工廠有6吋晶圓產能，正在擴張中，這座晶圓廠距離台積電約10分鐘車程。去年市場盛傳，台積電在第三類半導體領域鴨子划水，對此台積電董事長劉德音曾回應，「第三類半導體產值偏小，無法與矽基（SILICON BASE）半導體相比。」三菱電機總工程師多留谷政良，在8月23日台北自動化展中接受本刊訪問時表示，「儘管矽、碳化矽半導體在製程與應用上有所差異，但基本道理相似，因此人才是同一批」，台積電迅速發展後對半導體人才需求更緊迫，帶動當地大學院校積極培育半導體工程師，多留谷政良評估，「這部分人力缺口要能補上，至少要5年時間」，此期間台日半導體人才勢必緊密交流。事實上，今年7月間，三三會組成北海道經貿參訪團赴日，與日方討論最為熱烈就是半導體產業議題。三三會理事長林伯豐表示，「日本曾經是半導體製造的強國」，1986年日本生產的半導體產品全球市佔率曾高達45％，上個月的日本行，特別提出應在晶圓材料、廠務設備、人才，以及共同研發電動車、物聯網、人工智慧、元宇宙應用，尋求新南向市場的合作。此外，工研院與日本德山、國內筑波科技共同合作的化合物半導體實驗室也在8月初正式成立，號召化合物半導體自主材料生產技術平台，從事粉體製程及晶體驗證，從原料、磊晶到封裝測試。今年7月間，三三會組成北海道經貿參訪團赴日，與日方討論最為熱烈就是半導體產業議題。圖為參訪三菱電機6吋碳化系晶圓廠。（圖／三三會提供）而10月26日登場的台北國際光電週，將以「次世代化合物半導體國際研討會」及「化合物半導體產業領袖高峰會」為主角，台日廠首度在化合物半導體領域大規模參與。主辦單位台灣光電科技工業協進會（PIDA）執行長羅懷家指出，台灣、日本在化合物半導體領域的合作將加深、加速。台北國際光電週展覽繞著化合物半導體製程而設「化合物半導體」、「精密光學」、「光電檢測」、及「矽光子與雷射」4大主題。羅懷家指出，化合物半導體製程的材料、壓力、溫度要求與矽不同，並預告可能發表國際大廠競逐的8吋碳化矽（SiC）標準，應用在高頻高速的電動車、高鐵動力系統。同時日商Disco將演示以雷射切割晶圓技術、有別於以往用鑽石線切割，京瓷（Kyocera）展出化合物半導體封裝，日本NTT先進科技公司展出化合物半導體設備商。化合物半導體展區國內參展廠商包括環球晶（6488）、穩懋（3105）、中鋼碳素（1723）、光電檢測閎康（3587），光學佳凌（4976）、明基BenQ等；台灣超微高學的AI光學設備能把晶圓放大數百萬倍檢測表面裂痕，甚至可以做到「透視」內部瑕疵，「原理跟哈利波特『隱形斗篷』一樣，是利用折射」。一位科技業內人士觀察，日本對此番化合物半導體發展相當積極，因當局亟欲振興國內經濟，希望能夠抓住電動車動力系統、智慧製造、AI應用商機；在1980日本半導體黃金年代的從業人士們面臨退休，在鼓勵終生工作的氛圍下，有餘裕與眼界再投入產業以及促進台日雙方合作。
半導體新戰場2／化合物半導體競逐2027年63億美元商機 分析師：「這些台廠」將後發先至
「台灣在晶圓代工領域獨佔鰲頭，第一類矽晶圓的代工大廠是台積電（2330），第二類砷化鎵晶圓的代工大廠是穩懋（3105），第三類氮化鎵與碳化矽是美、日廠」，資深半導體顧問陳子昂表示，第二、三類化合物半導體市場仍小，因主要應用在5G、電動車、充電樁、衛星等未來產品，在這些產品未或廣泛採用前，台廠在整個化合物半導體的市佔率不到20％。目前第3類半導體碳化矽（SiC）競賽中的前段班為美國科銳（Wolfspeed）、安森美（ONSemi），歐洲英飛凌（Infineon）、意法半導體（STM），日本羅姆（Rohm）、三菱（Mitsubishi ）、電裝（DENSO），中國三安光電等。研調機構Yole指出，化合物半導體發展方向為「供應鏈整合」，電源供應、電力基礎建設、光伏、UPS（不斷電設備）、電機驅動、風能和鐵路電氣化需求推動，在2021年市場規模僅10億美元的碳化矽模組、2027年將達63億美元。國內電機大廠高層指出，指揮電動車馬達的「動力系統」，需要用到化合物半導體「碳化矽」，碳化矽模組占整個動力系統成本約10％， 目前用歐美品牌比較多，但因市場策略，若是銷售中國能考慮中國品牌，也有採用國內朋程的碳化矽模組搭配送樣，終端應用為大巴士、貨卡車、電動腳踏車、電動船等，「在目前電動運具的萌發期，系統穩定、安全是最重要的，價格反而是最後考量，且台廠上下游密切、願意客製化服務，在這種情況下台廠有發展利基」。中碳高純度碳粉及自建鹵素純化爐燒製石墨坩堝，是碳化矽所需材料。（圖／中碳提供）國內指標碳材料供應商中碳（1723），開發高純度碳粉及自建鹵素純化爐燒製石墨坩堝，碳粉已經量產，坩鍋正在對國內各大廠送樣中，石墨坩堝用於長成晶柱，自製技術是台灣唯一，「目前國內多向歐洲、日本進口，下訂後到貨至少要等六個月，先不用比價格，在地製造光是交期就有優勢」。中碳第2季毛利率寫下29.57％，每股稅後盈餘2.08元。全球第三大矽晶圓製造商環球晶（6488），董事長徐秀蘭8月法說會中透露，汽車、工業電子和生成式AI等應用推動半導體含量上升，8吋與12吋SiC矽晶圓產能利用率超過9成，今年上半年也持續簽訂新的長約（LTA）。該公司2023年上半年合併營收365.1億元創下同期新高，稅後每股盈餘EPS 22.49元寫下歷史第二佳表現。而第二類半導體的標竿穩懋（3105），是全球首座以6吋晶圓生產砷化鎵微波積體電路（GaAs MMIC）的晶圓代工公司，今年6月董事會通過再斥資15億元於桃園市龜山區科技園區購置土地及建物。受阻於通膨以及5G未出現創新應用，手機換機潮未出現導致功率放大器（PA）需求疲弱，該公司毛利最高的5G基地台漸成獲利主力。穩懋上半年每股稅後虧損1.18元，期待出現轉機。穩懋（3105）是全球首座以6吋晶圓生產砷化鎵晶圓代工公司，圖為穩懋董事長陳進財。（圖／報系資料照、翻攝臉書）
應材㩦手科教館設「半導體未來館」 晶圓設備始祖P5000全都露
「台灣是半導體產業的代表、半導體對台灣也已經是不可或缺的產業」，美商應用材料公司集團副總裁暨台灣區總裁余定陸表示，16年來與國立台灣科學教育館合作推廣科普教育，在今（6）日揭幕的《半導體未來館》進一步打開單晶圓設備始祖P5000，這個讓晶圓實現量產的劃時代秘密武器，新機價值將近5000萬元，從產線退役後能讓大小朋友近距離觀看，把相關基礎知識變得平易近人，應材希望藉此種下科普的種子，把台灣的半導體優勢延續下去。美商應用材料是美國上市公司（NASDAQ：AMAT），是全球頂尖半導體製造裝置和服務供應商，台灣應材與台灣科教館共同合作半導體科普教育已有16年，2007年與2015年推出體感互動遊戲以及半導體編年史的《半導體初體驗》與《半導體零極限展》。本次展覽新增了更多元的創意題材，閎康董事長謝詠芬捐贈半導體影像、聯電前研發處長周孝邦親審內容。《半導體未來館》是一座未來半導體科技的創新研發中心「MR01研發中心」，從入口的迎賓櫃台出發，觀眾將依序走過研發中心的「展示廳」、「物料室」、「製造區」，再來到最後的「未來實驗室」。台灣應材和國立台灣科學教育館今年升級策畫成立「創新！合作！半導體未來館」展區。左起教育部終身教育司簡任秘書魏仕哲、應用材料台灣區總裁余定陸、科教館館長劉火欽、台灣應用材公司幕僚長陸藍珠、教育部青年發展署署長陳雪玉。（圖／劉耿豪攝）常在新聞上聽到「某某企業在製程上又突破了多少奈米」，到底是什麼意思？在製作生產積體電路晶片的核心生產基地 「製造區」，有趣的逐格動畫短片〈電路微縮與半導體材料〉了解電路微縮的關鍵挑戰與歷程，也特別介紹現實中的半導體產業，除了產業鏈的上中下游與分工版圖，「摩爾定律與工藝節點」對於近年來關鍵突破的工藝節點也有詳盡的介紹，同時收錄了半導體領域時下最熱門的四大關鍵字，包含：立體化（鰭式電晶體FinFET、閘極全環電晶體Gate-all-around）、新材料（石墨烯、砷化鎵、氮化鎵）、量子運算等。
中美過招！拜登擬限制陸企用美雲端運算服務 恐加劇緊張關係
美國財長葉倫訪問北京前夕，中國與西方科技戰升級！中國3日宣布，自8月1日起針對鎵、鍺相關物項實施出口管制。鎵（gallium）和鍺（germanium）是製造半導體產品的關鍵材料，中方祭出出口管制，被視為意在報復美日荷限制出口晶片製造設備。拜登政府4日又傳出準備限制中企使用美國雲端運算服務，此舉可能進一步加劇美中緊張關係。中國商務部和海關總署3日聯合發布公告說，為「維護國家安全和利益」，包括金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵等在內的8種鎵產品，以及包括金屬鍺、區熔鍺錠、磷鍺鋅等在內的6種鍺產品，「未經許可，不得出口」。出口經營者應通過省級商務主管部門向商務部提出申請，並須說明出口的最終接收方和使用目的。美媒分析 中國藉此爭取談判籌碼全球80％的鎵和鍺由中國控制供應，這兩種稀有金屬在晶片製造、通信設備和國防領域有各式各樣的專業用途。鎵用於化合物半導體、電視和手機螢幕、太陽能電池和雷達等。鍺的用途則包括光纖通信、夜視鏡，大多數衛星也都使用鍺基太陽能電池。大陸外交部發言人毛寧4日稱，中國政府依法對相關物項實施出口管制，是國際的通行做法，不針對任何特定的國家。她又說，中國始終致力於維護全球產供鏈的安全穩定，始終執行公正、合理、非歧視的出口管制措施。此前，北京曾於5月宣布，其「關鍵國家基礎設施」禁用美商美光科技的存儲晶片。葉倫見謝鋒 對話坦誠且富有成效美國正聯手日、荷，擴大封鎖中國半導體產業。荷蘭政府6月30日公布加強半導體製造設備出口禁令，重點在阻止艾司摩爾（ASML）的更多先進曝光機出口到中國，新規將於9月1日上路。日本的相關禁令則將在7月23日正式生效。而美國近日也擬對中國祭出人工智慧（AI）晶片出口新限制。《華爾街日報》4日還報導，拜登政府正準備限制中企使用美國的雲端運算（Cloud Computing）服務。如果新規實施，亞馬遜和微軟等雲端服務供應商將需尋求美國政府許可，才能向中國客戶提供這類服務。據稱，此舉可填補晶片設備出口限制政策上的「漏洞」。因為中國AI公司要使用先進晶片，可透過美國雲端服務供應商獲得，不需要直接購買晶片。葉倫將於6日至9日訪問北京，希望與中方重新建立對話，但此行料涉及美中多年來一直惡化的敏感問題。葉倫3日在華府會見中國大使謝鋒，雙方進行了「坦誠且富有成效」的對話。據美國財政部聲明，葉倫提出令人關切的問題，亦表達美中在全球挑戰，包括宏觀經濟和金融問題上合作的重要性。另據中國駐美國大使館消息，謝鋒也表明中方在經貿問題上的主要關切，要求美方高度重視，採取行動予以解決。歐盟外交首長 訪中行程遭取消歐盟發言人4日則表示，歐盟外交和安全政策高級代表波瑞爾（Josep Borrell）原訂下周訪問中國，但北京當局已取消該行程，未透露原因。北京正試圖說服歐洲採取比美國更溫和的立場，如今中國宣布將對鎵、鍺實施出口管制，歐盟對這兩種金屬和相關產品依賴很大。美媒分析認為，中國限制半導體材料出口，意在藉此增加談判籌碼，邊打邊談。比利時智庫Bruegel一名研究員指出，中國是在提醒人們，誰在這場遊戲中「占據上風」，而西方至少需要10年時間，才能消除對中國礦產供應鏈的依賴。多家中國鍺生產商的股價4日出現暴漲。美國半導體晶圓製造商AXT表示，其大陸子公司北京通美晶體技術公司將立即著手準備申請材料，以向中國購買鎵和鍺。
台亞半導體斥資90億設廠 攻第三代半導體氮化鎵化合物
經濟部投資台灣事務所昨（13）日宣布，通過台亞半導體（2340）斥資近90億元擴大投資台灣一案，以因應未來全球市場開拓，並強化公司營運韌性。台亞為半導體整體解決方案製造商，規劃第三代半導體深耕氮化鎵化合物的研發與製造。據統計目前投資台灣三大方案已有1306家企業參與，投資超過1.92兆元，並創造14.23萬個本國就業機會。台亞半導體此次投資案，計劃在新竹科學園區廠房興建無塵室，同時新增設智慧化產線，並導入生產監控數位系統，總斥資近90億元以深耕氮化鎵化合物半導體的研發與製造。此外，投資台灣事務所指出，台亞半導體公司也在環境保護上不遺餘力，廠房屋頂預計建置太陽能發電系統，廠務設施採用符合IE3規範設備，預期投資完成後，將為國內高科技人才創造127個就業機會。截至目前，「投資台灣三大方案」已吸引1306家企業超過1.92兆元投資，創造14.23萬個本國就業機會，包括279家台商返台投資約1. 12兆元，帶來8.47萬個就業機會，後續尚有23家企業排隊待審。投資台灣事務所說，台亞半導體擁有近40年半導體製造銷售與品質管理經驗，是提供半導體整體解決方案的製造商，營業範圍包含半導體發光元件、感測元件、功率元件、磊晶材料、晶粒製造、元件封裝產品的生產製造。
台亞搶進化合物半導體 拚2024年貢獻營收
半導體廠台亞（2340）總經理衣冠君今（22日）於法說會上表示，看好市場對於第三代半導體需求急迫性，將由台亞及旗下子公司積亞半導體分別投入矽基氮化鎵（GaN on Si）及碳化矽半導體功率元件（SiC）產品相關規劃，預計2023年下半年即可開始試機、試產，提供產品驗證，目標在2024年開始貢獻營收。台亞指出，今年全球主要經濟體因抑制通膨而陸續升息，加上俄烏戰事未解、美中科技戰再起、中國大陸的清零防疫政策衝擊供應鏈需求，使得今年客戶端庫存仍居高，迫使消費性與家電市場終端客戶拉貨動能疲弱，下單轉趨保守，但預期2023年全球經濟將逐漸緩慢復甦。衣冠君表示，因國際淨零碳排政策驅使下，全球即將迎來新能源世代的轉換，而第三代半導體具備高耐溫、高耐壓、開關速度及導熱良好的特性，此優勢將可顯著提升AC-DC，DC-DC電源轉換的效率，落實更貼近於周遭生活產品諸如電源供應器、高階NB適變器（Adapter）、大瓦數快充、馬達、電動車電池充電器（On Board Charger）車用逆變器，太陽能、不斷電系統（UPS）、5G通訊、風力發電等應用。台亞董事會已通過2023年於矽基氮化鎵（GaN on Si）產品將投入約16億資本支出，積極投入半導體功率元件的生產，這也將是台亞未來能持續成長、迎來新商機的重要關鍵。
美國CHIP4戰台廠2／第三代半導體「黑馬」美握九成 鴻海台達電拚突圍
今年的國際半導體展上，化合物半導體繼續成了市場心焦點。環球晶董事長徐秀蘭也指出，化合物半導體是第三代半導體市場黑馬，預計2027年碳化矽（SiC）元件市場可達63億美元，「但台廠缺乏上游原材料的生產能力。」CTWANT記者現場觀察，今年的國際半導體展雖特別成立的「化合物半導體專區」，基本上，參展廠商仍是以設備廠為主，最關鍵的上游原材料，則僅有代理商參展，直接印證徐秀蘭所言。華冠投顧分析師劉炯德說，目前關鍵上游基板技術掌握在CREE等少數國際廠手中，美國的Cree、II-VI及日本Rohm等，佔據了9成的碳化矽基板出貨量，成了台廠發展第三代半導體必須解決的關鍵瓶頸。回顧60年半導體產業的發展世代，主要是以其原料來區分，第一代初期是鍺（Ge），但有容易發熱失控的問題，逐漸由矽（Si）所取代也成為主流；第二代則是砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為主的三五族，具備高頻、低雜訊、高效率及低耗電等特性。而第三代半導體以碳化矽以及氮化鎵（GaN）為代表，可應用在更高階的高壓功率元件（Power）以及高頻通訊元件（RF）領域，碳化矽由於其耐高溫及高壓特性，市場最看好在電動車（EV）市場的應用，包括充電樁、電動車逆變器（Inverter）、DC/DC轉換器（conveter）、充電樁等，另還有儲能系統和工業設施。工研院電光所博士顏志泓說，因為矽基板有其效能限制，特別是現在電子產品需要的是高頻、高壓等，這些就是靠化合物半導體來解決，只不過成本還是化合物半導體最大的問題。從價格來看，一片8吋的矽基板價格約100美元，6吋的碳化矽基板價格就要3000美元，而如果是氮化鎵（GaN）基板，一片小小的2吋也同樣要價3000美元。為了成為不缺料的代工廠，鴻海也搶進第三代半導體領域。（圖／翻攝自鴻海官網 ）為了搶入化合物半導體市場，除了半導體廠商外，現在連下游廠商也向上延伸布局，包括鴻海（2317）旗下鴻揚半導體宣布投資5億元取得盛新材料10%股權，試圖掌握上游原材料。鴻海S事業群總經理陳偉銘表示，SiC是電動車的重要元件，基板是SiC供應鏈的關鍵材料，不但占SiC元件成本比重高，且直接影響到元件的品質，藉由本次募資案的參與，掌握關鍵的基板供應，建立集團在SiC供應鏈上的競爭優勢，為集團在EV產業提供可靠的助力。不僅鴻海，連台達電（2308）旗下專注於氮化鎵（GaN）功率半導體的子公司碇基半導體，也宣布完成新一輪4.56億元新台幣增資，由台達電、力智電子（uPI）、中美矽晶（SAS）、日商羅姆半導體（Rohm）等注資，共同加速GaN功率半導體技術的發展。至於中國廠商在政府扶持下，也積極搶進這塊新藍海，主要競爭者有中芯國際、天科合達、三安光電、英諾賽科、山東天岳....等。目前全球導電型SiC基板供應龍頭廠為Wolfspeed，市占率高達6成，其次為羅姆（ROHM）與意法半導體（STM），半絕緣型碳化矽基板包括Wolfspeed、昭和電工（Showa Denko）、ROHM、Qorov、安森美（Onsemi）與恩智浦（NXP）等。目前全球導電型SiC基板供應龍頭廠為Wolfspeed，市占率高達6成。（翻攝自Wolfspeed臉書）
美國CHIP4戰台廠3／五大集團重兵部署 爭食電動車電源新藍海
「第三代半導體是未來各國搶占電動車、新能源，甚至國防、太空優勢，不能忽視的關鍵技術，誰在這個領域領先，誰就能在這個領域勝出，有機會成為下一個台積電。」華冠投顧分析師劉炯德說，目前有台積電（2330）及鴻海（2317）等五大集團重兵佈署中。第三代半導體之所以大舉襲來，關鍵就是特斯拉（Tesla），工研院指出，原本半導體的應用都是以光為主，但是特斯拉的電動車將需求轉向，變成主要應用領域在電源部分。當需求轉向電源領域，是之前台灣比較不重視的領域，畢竟台灣所擅長仍是數位及通訊相關IC設計，對於電源相關人才也較為缺乏。為此，行政院去年也擬定推動由企業、大學共同設立3-5所半導體研發中心，預計每年新增1萬名半導體人才，協助半導體產業突破1奈米技術節點。而台灣在第三代半導體的發展現狀是「製造強，兩端弱」，產業人士告訴CTWANT記者，也就是從事代工製造的公司很多，但生產上游原物料及IC設計的公司卻不多，而相較於現在的矽基半導體，高頻電路設計需要數學、物理、電磁波理論基礎，功率IC設計需機電（機械、電子、電機）整合背景，設計人才非常稀有。環球晶與國立陽明交通大學共同合作成立化合物半導體研究中心，攜手研發第三代半導體材料，期能快速建立台灣的化合物半導體產業鏈。（圖／業者提供）另外，如同環球晶董事長徐秀蘭所言，台灣也需要突破基板製造的技術。例如，製造通訊IC需要絕緣碳化矽基板，如果台灣有能力自製基板，穩懋和宏捷科的發展會更為快速。劉炯德說，對台廠目前已著墨數年的集團股，包括具有半導體材料優勢的中美晶（5483）集團、具備第三代半導體晶圓代工量產能力的漢民集團以及自太陽能產業轉入的廣運（6125）集團、台積電（2330）及鴻海（2317）。中美晶集團下的子公司環球晶與GTAT簽約，取得碳化矽晶球長約，在SiC與GaN的技術開發已取得優異成果，目前4吋、6吋碳化矽基板已量產出貨；另外環球晶透過轉投資世界第二大砷化鎵代工廠宏捷科（8086）、專精半導體先進製程特殊氣體的台特化、車用二極體模組朋程（8225），與生產高效能GaN功率轉換元件的Transphorm，建立材料、IC 設計、代工、封裝的垂直整合產業鏈，產品守備範圍更橫跨第一代（矽）、第二代（砷化鎵）、第三代半導體（SiC/ GaN）與特殊氣體。漢民集團耕耘化合物半導體超過10年，旗下漢磊（3707）與轉投資磊晶廠嘉晶（3016），分別專注在晶圓代工與生產磊晶材料領域，今年隨著化合物半導體應用被市場重視，漢磊與嘉晶（3016）營運也展現出初熟的成果。廣運集團旗下廣運（6125）和太極（4934）去年合作成立孫公司盛新材料科技公司，成功跨足第三代半導體材料碳化矽（SiC）上游長晶技術領域，目前已擁有4吋及6吋碳化矽（SiC）的導電型（車載應用）及半絕緣型（5G通訊應用）及自製晶種的技術能力，其中4吋SiC已開始進入量產。台達電透過子公司碇基半導體布局加速GaN功率半導體技術領域。（圖／報系資料庫）鴻海（2317）買下旺宏6吋廠，成立鴻揚半導體，專注於碳化矽製造，同時為了完備第三類半導體布局，與SIC（碳化矽）基板廠商盛新科技簽立入股合約，投資5億元取得盛新材料10%股權。台積電在第三代半導體的進程上，也是相對領先的，包括在矽基板氮化鎵上，2020年已開發出150伏特和650伏特兩種平台。工研院指出，第三代半導體在生產製程上，除了曝光機可以共用外，基本上其他設備都需要重新建置。2021年2月，意法半導體宣布和台積電合作，由台積電為意法生產車用的化合物半導體晶片。另外，轉投資的世界先進（5347）因為擁有大量8吋的設備，也跟台積電採取相同的策略，大力發展矽基的氮化鎵晶片製造技術，以提升附加價值。
美股連三漲標普創新高 台股今日挑戰萬八大關
周四（23日）耶誕前夕，雖然美國11月PCE物價指數年增率為5.7%，與預期相當，且11月核心PCE物價指數年增率為4.7%，較預期的4.5%上升，但上周初領失業金人數由20.6萬人降至20.5萬人，12月密大消費者信心指數為70.6，亦較預期70.4上升，美股四大指數連續3天上漲，標準普爾500創歷史新高。台積電ADR跌0.51%；日月光ADR跌0.13%；聯電ADR跌0.43%；中華電信ADR漲0.17%。23日美股四大指數表現：道瓊工業指數上漲196.67點、0.55%，收35,950.56點；那斯達克指數上漲131.48點、0.85%，收15,653.37點；標準普爾500指數上漲29.23點、0.62%，收4,725.79點；費城半導體指數上漲40.5點、1.04%，收3,932.4點。美國科技股中，蘋果漲0.36%；Meta（原臉書）漲1.45%；Alphabet（谷歌母公司）漲0.34%；亞馬遜漲0.018%；微軟漲0.45%；特斯拉大漲5.76%；英特爾漲0.67%；AMD漲1.57%；NVIDIA漲0.82%；高通漲0.75%；應用材料漲2.08%；美光漲4.52%。台股23日開高後震盪。早盤受美股激勵，指數隨即站上17900點，最高來到17960.99點，之後就在高檔區震盪，終場就以17946.66點作收，上漲119.83點、0.67%。櫃買指數則收在233.35點，上漲1.48點、0.64%，成交金額略增至907.47億元。集中市場23日成交金額增至2751.86億元；三大法人同站買方，合計買超197.42億元，外資連3買、買超180.23億元，外資自營商買超0.00億元；投信連8買，買超1.79億元；自營商買超4.91億元、自營商避險買超10.47億元。資券變化方面，融資金額增加4.15億元，融資餘額為2813.77億元，融券增加0.33萬張，融券餘額為53.25萬張。當沖交易金額為2250.08億元，占市場比例為40.26%。大陸西安自23日起封城，市場憂心影響記憶體廠生產，因三星西安廠以NAND Flash為主，美光則有DRAM測試廠，及與封測廠力成合資成立的DRAM封裝廠；業界指出，若三星西安廠受當地封城影響，將牽動NAND Flash價格走勢，有助價格翻揚向上。統一證券表示，台股昨日震盪盤堅，已連續3日站穩各期均線之上，多頭格局不變。隨著外資買盤回籠，在基本面強勁下，且英特爾有望釋單3奈米給台積電，一旦台積電表態上攻，台股有機會再創歷史新高，今日將挑戰萬八大關。其中，電子股買盤增溫，第三代半導體題材隨著徐秀蘭喊出2022年碳化矽、氮化鎵產能翻倍成長，看好矽晶圓以及第三代半導體短線表現，可以留意環球晶、中美晶、合晶、台勝科、朋程、光磊。另，隨著百度發布中國首個元宇宙虛擬空間「希壤」，元宇宙以及NFT個股有機會再度受到市場關注，看好宏達電、鈺創、中光電、歐買尬以及大宇資。台股集中市場與上櫃股票12月23日大盤走勢圖。（圖／翻攝自基本市況報導網站）
力晶同樂會3／三十萬小股東感謝「最會還錢的男人」 72歲的他還要玩元宇宙
臉書社團「力晶同樂會」（前身為力晶自救會）代表Ｌ君告訴CTWANT記者，「黃崇仁能帶著公司及股民重新回到資本市場，覺得欣慰與感謝他的努力。」他們原是力晶的股東，從下市再上市、從DRAM紅海到專業晶圓代工藍海，黃崇仁沒讓30多萬小股民失望。「自救會變成同樂會了！」力積電（6770）董事長黃崇仁11月9日在上市說明會上藏不住喜悅地說，「力積電重新上市，是台灣商業史上的一個奇蹟。」「我對我們的股民有交待，（股票）沒有變成壁紙，對得起跟著他這麼多年的股民」話還沒說完，72歲的黃崇仁哽咽停頓了2秒，接著說：「我沒有辦法形容現在的心情。」根據證交所表示，力積電12月6日將從興櫃轉上市，以資本額340.5億元及股東人數32萬人，創下「股本（資本額）最高」及「股東人數最多」的上市公司紀錄。對黃崇仁而言，這是一場「奇蹟似的成功」。他自豪地說，「台灣商業史上沒發生過的事，力晶這麼大的公司、欠人家這麼多錢，一步一步把錢還掉、整合……對股民、員工及產業都有責任，如今要感謝一直跟他走過來的同仁。」2012年力晶科技下市後，數十萬名股東籌組自救會希望公司能再上市，圖為2018年自救會集會要求公司能重新上市。（圖／報系資料照）這段故事，要從力晶科技下市說起。黃崇仁1971年台大物理系畢業後赴美留學，取得腦神經外科醫學博士學位。1980年返台後，任教於台北醫學院及台大。1987年38歲時放下教職決定從商，創立力捷電腦，7年後跨入半導體業，創辦力晶，並在1998年上櫃，後來還與日本爾必達合作，打造當時全球最大12吋晶圓DRAM廠區。然好景不常，2008年至2012年間，韓國大廠砍價搶市惡性競爭，DRAM價格一路崩跌，包括力晶、茂德、南亞科等多家台廠無一倖免，都陷入巨大虧損，2012年底力晶股價剩下0.29元，走向下櫃，當時27萬名股東手上的力晶股票淪為壁紙，黃崇仁背上負債1,200億元。對於下市，黃崇仁認為這是法令規定造成的「技術性下市」，當時設備有5年折舊攤提的規定，因此在營運惡化下淨值變為負數依法要下市，若改變為10年就不用下市。「下市後很辛苦，因為廠商都不會給你信用額度（Credit）。」黃崇仁打趣說，這十幾個年頭遭遇的困頓及心路歷程，可以寫一本書。「力晶是唯一下市、不經重整，又能分割力晶科技再重組為力積電，而且順利在這八年內償還1,200億元。」黃崇仁還掉天文數字的債務，在商界贏得「他（黃崇仁）是最會還錢的人」稱譽。一位熟悉黃崇仁的企業老闆形容「他是不太會氣餒的人。」如今轉上市，黃崇仁搭上未來科技，重新定位力積電：「第四代半導體」的公司。半導體產業發展起於50年代的矽，70年代應用到砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），分別為第一代及第二代，直到2020年才進入以5G及電動車半導體應用為主的第三代半導體。黃崇仁喊出的第四代半導體，仍是未來式，包括第四代氧化物半導體氧化銦鎵鋅（IGZO）、邏輯晶片與記憶體異質晶圓堆疊的3D intechip及包含氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）、電源管理晶片（PMIC）的車用電子晶片。就連科技圈正夯的元宇宙，黃崇仁也準備好了。「力積電正在開發低功耗、高解晰度2,000ppi（每英吋像素），甚至5,000ppi以上、低雜訊的晶片，正適合AR/VR應用的元宇宙產品。」黃崇仁進而喊出：「力積電是元宇宙概念股。」2018年時力晶已經還清債務，公司連續3年獲利，並獲得銀行團聯貸30億元，可以說算是走過低潮。（圖／報系資料照）
高油價賺一波3／無懼能源搶購潮 省電、低耗能概念股蓄勢待發
受到原油上漲而可能的受惠股，除了塑化類股外，法人提醒，「還可觀察有助於省電的裝置『電源管理IC晶片設計』供應鏈。」也就是股民所稱的「Power IC 概念股」，像是茂達（6138）、致新（8081）、矽力-KY（6415）。其次是「第三代化合物半導體」。群益創新科技基金經理人黃俊斌表示，「第三代化合物半導體有助於電池、充電器、基地台、5G 通訊高頻產品、電動車與再生能源等效能，又稱『寬能隙半導體』（WBG），是碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為主的材料，有別於第一代半導體的矽（Si）與第二代半導體的砷化鎵（GaAs）。」目前包括台積電、聯電、中美晶、漢民等陣營積極布局，搶攻龐大GaN及SiC晶圓代工商機，相關供應鏈有台積電（2330）、世界先進（5347）、聯電（2303）、頎邦（6147）、環球晶（6488）、宏捷科（8086）、朋程（8255）、漢磊（3707）與嘉晶（3016）。由於中國採取限電措施，勢必對電子供應鍊以及全球消費電子旺季造成重大衝擊，消費性電子產品可能庫存調整，「建議避開高存貨的下游電子股。高附加價值產品，如HPC、伺服器等產品需求仍強勁，逢回可以留意。」他還說。台積電等大廠，搶進第三代化合物半導體市場。（示意圖／報系資料照）至於中國推出限電政策，一部分原因也是針對碳中和的目標，對於高耗能產業將持續限制產能，可以留意碳中和受惠概念股。黃俊斌強調，台灣廠商若具創新能力、技術領先則可望積極搶佔市佔率、成為趨勢上的贏家，因此科技創新趨勢題材仍是電子業成長主軸，包括先進製程相關利基半導體（矽智財、新應用IC）、伺服器新平台（Whitley+Eaglestream）、車用（第三代半導體、新能源車、自駕車）。永豐投信則指出，原物料股是其中受惠標的，綠能及碳中和概念股，如運用新能源的電動車概念標的，也是投資人在觀察油價變化，帶來的投資趨勢轉變時，可以留意的標的。油價也帶動歐股反彈，能源大廠佔居歐股重要權值，能源股帶動歐股反彈之際，也同步提振歐洲消費股的表現，先前歐洲精品股一度受到中國共同富裕政策的壓抑表現偏弱，隨景氣復能、邊境旅遊需求提升，加上歐洲氣氛向好，也帶動投資與需求的正向循環。隨著各國擴大施打疫苗，推出振興經濟方案，法人分析全球景氣可望持續復甦，加上5G、高效能運算、車用電子等新興應用需求強勁，宅經濟、遠距商機延續，以及我國半導體業者高階製程具競爭優勢，有助延續科技類貨品接單動能。整體而言，第四季還可布局明年看好的產業，晶圓代工、第三代半導體、高速傳輸、伺服器、電動車、封裝測試、半導體設備、電子紙等族群。
【高速充電情報 】Avier推出CLASSIC GaN 65W氮化鎵快充電源供應器
行動周邊領導品牌 Avier認為，隨著手機、筆電、遊戲主機相繼支援USB-C，顯見未來 USB PD 的生態系統將加速急遽發展。除了最新的iPhone 13 Pro Max 最高支援 27W 快充，安卓陣營亦在近年主攻快充市場，陸續推出支援45W、65W甚至更高充電功率的手機，加上 5G 手機的問世使得用電需求增長，也讓快充成為購買手機的主要考量因素之一。Avier長期專注於開發高品質產品，為滿足高頻差旅及高生產力族群，對於多款裝置更大電力的快充需求，本季以「從容輕裝高速充電」為主軸，推出功率高達 65W 的 CLASSIC 氮化鎵快充電源供應器。GaN氮化鎵技術 功率更強 體積更小CLASSIC GaN 65W氮化鎵快充電源供應器，應用具備高能源轉換效率、高導熱、高穩定、體積小等優勢的氮化鎵 GaN 半導體嶄新技術，相較坊間相似規格的電源轉接器，充電功率更加提升，體積和重量更大幅下降約50%，搭配摺疊插腳設計，讓您無論使用、攜帶都更加輕便。CoreIQ™ 1.0智慧科技 廣泛兼容各款裝置CLASSICGaN 65W氮化鎵快充電源供應器，採用 CoreIQ™ 1.0 智慧分流輸出科技，能依裝置電力需求，智慧動態調節輸出效能。在輸出功率規格上，單埠獨立使用時，USB-C的最大充電功率可達65W、USB-A的最大充電功率達18W；雙埠同時使用時，則會自動分配輸出功率，讓USB-C提供最大45W、USB-A提供最大18W的功率。因此大至輕薄筆電、平板或手機，小至僅需微電流的隨身穿戴裝置，都能廣泛應用。CoreProtect™ 核心防護 把關充電安全雖然對於裝置電量的需求提升，但Avier更加注重使用者的用電安全，CLASSIC GaN 65W氮化鎵快充電源供應器，採用獨家CoreProtect™ 核心防護晶片，提供過電壓/過電流/過熱/短路/低負載五大安全防護機制，且通過國家BSMI認證，大幅提高產品使用的安全性。相容主流快充協定的快充技術不論是蘋果還是安卓陣營，CLASSIC GaN 65W氮化鎵快充電源供應器皆提供極高相容性的充電支援，USB-C支援 PPS PD3.0 及 QC3.0 快充技術，USB-A支援QC3.0，且雙埠均相容SCP/FCP/AFC等主流快充協定，讓各大廠牌手機均能快速充電，大幅提升充電效能。歡迎至 Avier 官方網路旗艦店選購。Avier官網：https://www.avier.com.tw電話：(02) 8994-1648
慶祝趴結束？聯電頎邦換股 雙雙走高收跌
上週五（3）宣布換股的晶圓代工廠聯華電子（2303）與驅動IC封測廠頎邦科技（6147），雖然前者成為上週買超第一名，市場行情大好，但是今（6）日股市開盤後，盤間股價漲跌互見，最終都以跌勢收盤。聯電在受到外資調高目標價格到119元，基本面看好，今天早盤以每股69.1元開出，隨後小跌至68.4元，接著振盪走揚，高點來到71.8元，午盤後走跌跌破70元，最後收盤在69.1元，振幅5.29%、跌幅0.14%。頎邦以86.5元開高，不久隨著上漲走勢站上最高88.3元，接著出下滑走勢，接近中午時下滑至81.1元，一度拉回後無力支撐，就一路走跌，最低來到77.6元，最後收盤時收在78元，今天振幅高達13.19%、跌幅3.82%。預計年底完成換股的聯電及頎邦，面對半導體市場供不應求的大勢下，上週五宣布的換股好消息似乎沒有帶來慶祝行情，兩家公司股價皆以下跌作收。頎邦董事長吳非艱表示，將深化雙方驅動IC的業務合作、掌握晶片產能及合作第三代化合物半導體，預估增資換股僅影響今年每股盈餘（EPS）約1.5%，但明年獲利成長將可彌補股本膨脹的影響。聯電近年積極布局射頻元件氮化鎵應用的第三代半導體，鎖定發展高效能電源供應和5G射頻元件，加上頎邦在功率及5G射頻元件的碳化矽及氮化鎵封測已有經驗，此次換股結盟合作第三代半導體效益可望很快浮現。此次換股案，聯電每1股換發頎邦0.87股，聯電及子公司宏誠創投將共同持有頎邦約9.09%股權，相當於投資約54億元，成為頎邦最大單一股東，頎邦則持有聯電0.62%股權。
集頂級功能於一身 米粉徹夜排隊搶買小米11
小米台灣18日在台灣正式推出全新5G旗艦機「小米11」，集結各項全球領先技術於一身，搭載電影級相機、沉浸式的影音等相關應體，在發表後2小時內，就吸引人潮前往小米之家信義店排隊預購，晚間8點30正式開放預購後就吸引超過千名消費者下單。小米台灣指出，小米之家信義店在19日開放「小米11」預購，首位米粉排隊時間長達18小時，小米也提供價值30萬的排隊預購抽獎禮，回饋米粉熱情。 小米11搭載諸多頂級硬體功能，售價僅21,900元。（圖／小米提供） 全新5G旗艦機「小米11」集結全球頂級旗艦功能於一身，全球首發搭載高通Snapdragon 888 5G行動平台，更擁有電影級1 億800萬像素的AI三鏡頭專業相機，同時配備WQHD+ 2K超高解析度6.81吋120Hz四曲面AMOLED螢幕、Harman Kandon音效立體雙揚聲器，支援55W有線及50W無線快充，隨盒附贈55W小米氮化鎵GaN充電器，再享總價值超過新台幣4千元的免登錄超長2年保固與1年內1次免費螢幕維修。業內人士指出，2021年適逢全球晶片大缺貨，搭載高通S888 5G晶片的「小米11」勢必也會受到影響，未來很可能會持續處在缺貨情況。
迎戰美國圍堵 陸宣布：半導體減免稅負大放送
在美國圍堵大陸半導體產業之下，大陸政府17日宣布，將落實半導體企業減免稅負的優惠政策，包括製程在28奈米或以下，且經營期在15年以上的生產企業，最高可免徵十年的企業所得稅，新規定溯及2020年1月1日起實施，意味著今年相關企業即可受惠，有利減輕中芯國際、華虹半導體等企業的財務壓力。綜合陸媒報導，美國2020年下半年在半導體領域加強對大陸施壓，與此同時大陸業界卻頻傳狀況，先是年中武漢弘芯傳出項目爛尾，近日又有廣州海芯12吋廠停工，以及大陸晶圓代工龍頭中芯國際驚爆高層內鬨，現任聯合CEO梁孟松憤遞辭呈等負面消息。市場咸認，官方選擇此刻宣布減免稅利多，頗有穩定軍心意味。中國財政部、發改委等四大部門17日聯合宣布，為了促進大陸半導體產業朝向高品質發展，鼓勵製程小於28奈米以下、且營運在15年以上的半導體企業或項目，第一年至第十年可免徵企所稅，政策自2020年1月1日開始實施。該項措施明顯有利中芯、華虹等製造業者。另外，製程小於65奈米以下，且營運在15年以上者，第一年至第五年免徵企所稅，第六年至第十年依25％的稅率減半徵收。製程在130奈米以下，且營運在10年以上者，前兩年免徵，第三年至第五年按25％的稅率減半徵收。利多消息宣布後，迅速拉升當日陸港市場半導體類股氣勢，其中，港股上市的華虹半導體大漲7.4％，而日前受累高層人事變動風波的中芯國際H股，早盤延續前日重挫下跌3％，但新政公布後股價反彈，收盤翻紅上漲3.7％。受到美方接連針對半導體領域出手，大陸2020年頻出重大政策扶持自家產業鏈。本次利多政策宣布前，大陸國務院已在8月4日先公布發展半導體和軟體新政，內容達40條，強調要以更大手筆的補帖扶持業者，並提出對製程小於28奈米且經營15年以上的企業或項目，免徵前十年的企業所得稅。9月初市場則傳出，大陸將在「十四五規劃」中，對半導體、無線網路、人工智慧（AI）等領域投注約人民幣10兆元的龐大銀彈，力挺業界發展以碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）為材料的第三代半導體產業。（圖／工商時報李書良整理）
權證致富
台燿（6274）產品升級利多，將帶動公司挑戰創新高可望再創佳績台燿科技去年第四季本業獲利表現亮眼，且訴訟相關費用已一次於去年第四季提列完畢，未來將不再干擾台燿獲利表現。展望2018年，台燿營運利多包括：(1)Server Purley平台拉貨，T1出貨成長。(2)網通相關應用，打入更多客戶，使T2需求高成長。(3)美系客戶手持通訊類產品出貨成長。(4)與Hitachi專利授權的IC載板材料，有機會小量出貨。(5)訴訟干擾因素解除，且在產品結構優化之下，將使毛利率與營益率攀升。國票證券估台燿2018年EPS 7.43元，獲利年成長79.4%。通訊架構在未來2-3年將逐漸由4G轉5G，各項傳輸協定隨資訊容量與流量大幅提升，台燿產品在高頻高速網通趨勢下，2018年享有競爭優勢，並且2019年隨新產能開出，營運將再創高峰，故維持台燿買進評等，並因訴訟干擾因素消除，調高目標價至112元。世界（5347）新產品耕耘有成，打入主流市場，營收看漲世界先進積體電路為全球第九大半導體晶圓代工。世界為全球第一家導入8吋GaN氮化鎵半導體製造的晶圓代工廠，已建置數千片的晶圓製造生產線，並將陸續建置MOCVD 磊晶設備。國票證券預期世界今年第四季將有GaN產品送樣，明年第三季開始量產出貨，預估GaN產品的平均毛利率上看50%~60%，較世界的平均毛利率高出20個百分點。受惠於產能利用率滿載、晶圓代工報價調漲與產品組合優化，國票證券預估世界2018年營收283億元，年增13%，稅後盈餘58億元，年增30%，EPS為3.57 元，目標價82 元。