受惠輝達HBM需求增長＋記憶體市場供應緊張　美光股價一年飆漲100％

AI熱潮受益者之一的美光科技隨著支出的增加，加上記憶體市場的廣泛反彈，該股在過去12個月裡上漲了近100%。瑞穗證券表示，美光的「好日」子可能會持續，因為該公司正在提升其高頻寬記憶體（HBM）領域第五代高頻寬記憶體（HBM3E）產品，以獲得市場份額，這可能會推動美光的股價上漲。美光股價最新價格小跌2.03%，報125.29美元。

HBM3E是第五代高頻寬記憶體，瑞穗認為這是美光與韓國SK海力士之間的「2匹馬競賽」。瑞穗表示，在輝達不斷增長的需求下，HBM供應緊張，這對美光來說是個好兆頭。

瑞穗證券分析師認為，潛在的收益率問題是，在一個關鍵供應商處，其1-alpha HBM3e的堆疊高度綁定延遲，這將使美光和海力士在B100/B200/GB200平台上獲得HBM3e的占比，從而推動從目前的增加路徑上升到2025年的約25%。

HBM3E產品耗電量比競爭對手低了30%。

分析師重申了對美光的「買進」評級，並將目標價上調至150美元，因為該公司有能力向輝達推銷其HBM3E封裝。同時由於記憶體價格預估上調，瑞穗表示，今年2月開始量產HBM3E晶片的美光公司，2024年和2025年大部分時間的高頻寬記憶體可能已經賣光。由於整個行業仍然「緊張」，供應可能處於最低水平，從而推高價格。

下一版的高頻寬記憶體HBM4可能最終需要台積電的CoWoS-L，因為處理器放寬堆疊高度標準。分析師說，美光正在使用一種名為熱壓縮非導電薄膜的技術。美光認為，與SK海力士的產品相比，該技術有助於提高封裝密度、厚度一致性、更快的規格、更小的凸起和更好的堆疊高度間距。

瑞穗的分析師認為，美光科技可能會在HBM4之後看到混合/3D鍵合進入商業評估階段，可能會在2027或2028年之後。而這可能有助於HBM市場以約65%的複合年增長率成長，到2026年達170至180億美元。